2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標志著中國半導體產業在第四代材料領域實現跨越式突破。作為鎵仁半導體的核心合作伙伴，?光谷薄膜憑借自主研發的霍爾效應測試儀，為其氧化鎵單晶產品提供了第三方檢測支持，以高精度、多維度的電學性能數據驗證了材料的產業化潛力?。

針對8英寸氧化鎵單晶襯底的導電型與UID兩種晶體，光谷薄膜霍爾效應測試儀通過范德堡法同步測定了電阻率、載流子濃度等關鍵參數：

導電型晶體?：電阻率低至25mΩ·cm，載流子濃度達2.9×101? cm?1；

UID晶體?：電阻率高達664mΩ·cm，載流子濃度僅6.9×101? cm?1?。

光谷薄膜為鎵仁半導體氧化鎵單晶襯底出具的檢測報告

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氧化鎵作為超寬禁帶半導體，其電學性能的穩定性直接影響器件可靠性。光谷薄膜霍爾效應測試通過以下應用場景為產業升級提供支撐：

材料篩選?：鑒別N/P型導電類型，評估晶體缺陷與摻雜均勻性?；

工藝監控?：實時反饋電阻率分布，指導單晶生長參數調整?；

器件設計?：提供遷移率與載流子濃度關聯數據，縮短芯片研發周期；

合作共贏：推動國產半導體生態建設。?

鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶的突破，不僅刷新了全球技術紀錄，更驗證了國產檢測設備的國際競爭力。光谷薄膜憑借在GaN、SiC等寬禁帶材料領域的成熟經驗，持續為氧化鎵等第四代半導體產業化提供“中國方案”，助力構建從材料、設備到芯片的完整產業鏈?。